ASML的EUV光刻机更强了
日前在韩国的一场半导体交流活动中，ASML韩国营销经历MyoungKuy Lee透露，公司将开始供应透光率超90%的薄膜，以提升EUV光刻机的效率。
据悉，这款薄膜是ASML与Teradyne（泰瑞达）联合研发，日本三井化学代工，已经通过了400瓦测试。
ASML 2016年首次开发出光罩薄膜，当时的透光率是78%。随后在2018年，薄膜透光率提升到80%，去年提升到85%。
薄膜用于保护光罩免受污染，单价2.6万美元左右（约合人民币16.78万元）。
另外，韩国企业FST、S&S Tech也都在紧张开发EUV光刻机所需的薄膜，FST此前预期上半年开始供应90%透光率的碳化硅薄膜。
